光刻胶概念27日盘中大幅拉升，截至发稿，晶瑞电材20%涨停，迦南科技、南大光电涨超13%，艾森股份涨逾12%，格林达、彤程新材亦涨停。
消息面上，我国首个EUV光刻胶标准立项。国家标准委网站显示，我国首个EUV光刻胶标准——《极紫外（EUV）光刻胶测试方法》作为拟立项标准，10月23日开始公示，截止时间为11月22日。标准的起草单位包括上海大学、张江国家实验室、上海华力集成电路制造有限公司、上海微电子装备（集团）股份有限公司。
此外，我国光刻胶领域取得新突破。近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案。相关论文近日刊发于《自然·通讯》。
银河证券指出，该方案首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，当前光刻技术是推动集成电路芯片制程工艺持续微缩的核心驱动力之一。彭海琳表示，冷冻电子断层扫描技术为在原子/分子尺度上解析各类液相界面反应提供了强大工具。深入掌握液体中聚合物的结构与微观行为，可推动先进制程中光刻、蚀刻和湿法清洗等关键工艺的缺陷控制与良率提升。据锐观产业研究院报告，2024年我国光刻胶市场规模增长至114亿元以上，预计2025年光刻胶市场规模可达123亿元。
该机构认为，光刻胶作为半导体、印制电路板、平板显示等行业的基础材料，其技术进步可以促进相关产业链的协同发展，上游材料供应商、设备制造商，中游光刻胶生产企业，以及下游光刻胶产品应用企业都能从中受益。
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